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东芝推出采用DFN8×8封装的新型650V第3代SiC MOSFET

东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）近日宣布，推出四款最新650V碳化硅（SiC）MOSFET——“TW031V65C”、“TW054V65C”、“TW092V65C”和“TW123V65C”。这些器件配备其最新的[1]第3代SiC MOSFET技术，并采用···

Finwave筹集820万美元短期投资以推动市场发展

美国马萨诸塞州沃尔瑟姆的 Finwave Semiconductor Inc 宣布了一轮新的 $8.2m 短期投资，由 Fine Structure Ventures、Engine Ventures 和 Safar Partners 领投，技术合作伙伴 GlobalFoundries 战略参与。Fi

利用 SMFA 系列非对称 TVS 二极管实现高效 SiC MOSFET 栅极?；?/h2>

引言碳化硅（ SiC）MOSFET在电源和电力电子领域的应用越来越广泛。随着功率半导体领域的发展，开关损耗也在不断降低。随着开关速度的不断提高，设计人员应更加关注MOSFET的栅极驱动电路，确保对MOSFET的安全控制，防···

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GaN FET在人形机器人中的应用

引言人形机器人集成了许多子系统，包括伺服控制系统、电池管理系统 (BMS)、传感器系统、AI 系统控制等。如果要将这些系统集成到等同人类的体积内，同时保持此复杂系统平稳运行，会很难满足尺寸和散热要求。人形机器人···

电源管理小技巧：功率 MOSFET 特性

以Vishay SiE848DF的数据手册图作为参考示例，这是一款采用 PolarPAK? 封装的 N 沟道 30 V 沟槽功率 MOSFET。MOSFET 的封装限制为 60A 和 25°C。阻断电压是多少？阻断电压 BVDSS 是可以施加到 MOSFET 的最大电压?！ぁぁ?/p>

英飞凌推出Power PROFET?+24/48V超低电阻智能功率开关系列，优化汽车配电系统

随着汽车结构向混动和电动车型过渡，传统电池系统越来越多地被48 V电源补充或取代。由于12 V和24 V电网系统已达到极限，这一转变有望成为未来电动汽车的新标准。48 V系统可提供先进功能，并通过降低电流和简化线束复···